Приборы GaN HEMTLakeSemi GaN FETs
GaN HEMT на платформе QST™ с напряжениями 650В/100В/1200В охватывают топологии enhancement- и cascode-типа. Низкая выходная ёмкость и низкий заряд затвора поднимают потолок частоты переключения выше 1 МГц, делая их идеальными для PFC, LLC и жёсткого переключения в обратном ходе.
ИсследоватьЗатворные драйверыGate Drivers & Isolated Drivers
Специализированные драйверы полумоста и нижнего плеча для GaN/IGBT/SiC с входом 5В/12В/15В и встроенным Miller-клампом в паре с цифровыми изоляторами обеспечивают в промышленных сервоприводах, накопителях на фотоэлектрике и ИБП точность синхронизации на уровне 1 нс и защиту от отрицательных импульсов.
ИсследоватьКремниевые MOSFETSilicon MOSFETs
Точным управлением током сток-исток через напряжение затвора кремниевые MOSFET LakeSemi в средне- и низковольтном диапазоне (30–250 В) обеспечивают отраслевой эталон фигуры добротности RDS(on)×Qg и широко применяются в усилителях мощности, стабилизаторах, защите батарей и коммутационных схемах, делая системы холоднее, быстрее и долговечнее.
ИсследоватьДискретные IGBTIGBTs
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) обеспечивают высокую плотность тока и стойкость к КЗ в приводе двигателей, индукционном нагреве и преобразовании высоковольтного питания. Дискретные IGBT LakeSemi с низким напряжением насыщения и надёжной защитой от КЗ отлично проявляют себя в промышленных преобразователях и сварочных ИП.
ИсследоватьСиловые модули / IPMPower Modules & IPMs
Передовые интеллектуальные силовые модули (IPM) интегрируют IGBT/MOSFET, затворный драйвер, защиту от пониженного напряжения/перегрузки/перегрева и диагностику неисправностей, охватывая инверторную бытовую технику, промышленные сервоприводы, ИБП и системы преобразования ВИЭ. Особенно выделяются гибридные SiC-модули в автомобильных зарядных устройствах и фотоинверторах.
Исследовать