产品

仙湖半导体产品矩阵围绕 QST GaN 平台构建，覆盖芯片级（GaN HEMT、SiC、IGBT、MOSFET）、合封电源（LGMA 系列）与控制器（PFC、SR、电机驱动、栅极驱动）三大层级。下面按"功率器件"与"电源/驱动控制器"两个大类展开。

功率器件与模组

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GaN HEMT 器件LakeSemi GaN FETs

基于 QST™ 工艺平台的 650V/100V/1200V GaN HEMT，覆盖增强型与级联型两种拓扑。低输出电容、低栅极电荷让开关频率天花板推到 1MHz+，是 PFC、LLC 与反激硬开关电源的理想选择。

栅极驱动器Gate Drivers & Isolated Drivers

支持 5V/12V/15V 输入、内置米勒钳位的 GaN/IGBT/SiC 专用半桥与低边驱动芯片，搭配数字隔离器在工业伺服、光伏储能、UPS 等高压系统中实现 1ns 级精准时序与抗负压瞬态保护。

硅基 MOSFETSilicon MOSFETs

通过栅极电压精准控制源漏极电流，仙湖硅 MOSFET 在中低压段（30V–250V）提供业界领先的 RDS(on)×Qg 优值，被广泛用于功率放大器、稳压器、电池保护与开关电路，让系统更冷、更快、更耐用。

IGBT 单管IGBTs

绝缘栅双极晶体管 IGBT 在电机驱动、感应加热与高压电源转换应用中提供高电流密度与强短路耐量。仙湖 IGBT 单管以低饱和压降与稳健的短路保护在工业变频与焊机电源中表现卓越。

功率模块 / IPMPower Modules & IPMs

先进的智能功率模块 (IPM) 集成 IGBT/MOSFET、栅极驱动、欠压/过流/过温保护与故障诊断，覆盖变频家电、工业伺服、UPS 与新能源转换系统。其中 SiC 混合模块在车载充电与光伏逆变器中表现尤其突出。

电源与驱动控制器

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QST GaN 合封功率IC LakeSemi Combo Power IC

将 QR 反激控制器与 650V GaN HEMT 单芯片合封，省去散热片与光耦，BOM 更小、EMI 更低。在 100–200W 输出区间，整机效率轻松跨过 94%，是高端快充、笔记本电源与家用电器电源的优选。

有源功率因数校正（PFC）控制器

仙湖有源 PFC 控制器覆盖 CCM、CRM 与 DCM 全工作模式，自适应模式切换算法让整机始终工作在最优效率点。搭配 650V GaN HEMT 可把 PFC 段开关频率推到 200 kHz 以上，整机轻松跨过 80Plus 钛金牌能效门槛。

次级侧同步整流（SR）控制器

面向 QR 反激、有源钳位反激与 LLC 谐振拓扑的次级侧同步整流控制器，自适应驱动时序关断算法把整流损耗再压低 1–2 个效率百分点，与 LGMA 系列合封电源形成最佳搭配。

BLDC 无刷电机驱动 IC

单相 / 三相无刷直流电机驱动 IC，内置 FOC 算法硬件加速与无传感器位置估算引擎，让 BLDC 设计从此告别外置 MCU。覆盖家电风机、电动工具、工业伺服与机器人关节。

有刷直流电机驱动 IC

全集成的单通道 / 双通道 H 桥有刷直流电机驱动 IC，内置电荷泵、电流采样与过流过温保护。BOM 极简、应用极简——电动工具、车用雨刮、家电风机、电动阀门一键搞定。