Силовые приборы на нитриде галлия 1200 В на платформе QST GaN вместе с собственными драйверами затвора и интегрированными ключами обеспечивают решения питания нового поколения с более высокой плотностью мощности и меньшим энергопотреблением для серверов ИИ и ЦОД.
Решение HVDC800V → Скачать White Paper
Полностью интегрированный GaN в одном корпусе по топологии QR-обратноходового преобразователя 200 Вт, КПД 94%+. Интегрированы 650-В GaN HEMT + контроллер + драйвер — это устраняет радиатор и оптопару, уменьшает перечень компонентов (BOM) и снижает ЭМП.
Контроллер PFC в режимах CrM/DCM в паре с полумостовым драйвером 2EDB7259Y и GaN 65R150 обеспечивает КПД звена PFC 99%+ и позволяет АС/DC устройству легко преодолеть порог 80 Plus Titanium.
650 В / 65 мОм GaN HEMT (платформа QST). Теплопроводность керамической подложки 170–230 Вт/(м·К), dV/dt 100 В/нс — подходит для высокочастотного жёсткого переключения 1 МГц+ и сервоприводов.
Ровно в половине седьмого утра кофемолка тихо гудит; вечером, вернувшись домой, в прихожей мягко загорается свет. За этими повседневными мгновениями скрывается крошечный силовой чип — и LakeSemi делает его другим.
Традиционные кремниевые приборы переключаются всего на 65 кГц, трансформатор получается большим и тяжёлым, а ещё слышен свист в слышимом диапазоне. После замены на интегрированный GaN-чип LakeSemi частота удваивается, магнитные элементы уменьшаются на 40%, а потребление в режиме ожидания — вдвое; ночью внешний блок кондиционера почти не слышен.
От 65-Вт зарядок ноутбуков до многопортовых зарядных устройств 140 Вт PD3.1 — один интегрированный чип выдерживает всю мощность, КПД выше 94%. Зарядка становится меньше, холоднее и долговечнее — так GaN входит в миллионы домов.
Пользователю не нужно менять никаких привычек — задача хорошего чипа в том, чтобы комфорт приходил незаметно.
На линии сборки литиевых аккумуляторов манипулятор выполняет действие каждые 0,1 с. То, насколько быстро может быть этот такт, определяет не механика, а частота переключения силового прибора в сервоприводе.
Традиционный IGBT переключается лишь на 8–16 кГц, полоса токового контура жёстко ограничена. При высокодинамичных командах двигатель либо не поспевает, либо возникает перерегулирование и вибрация — в прецизионных применениях приходится снижать скорость, и такт линии замедляется.
GaN HEMT от LakeSemi разгоняется до 100 кГц+, расширяя полосу токового контура в 10 раз: поверхность обработки ЧПУ-станков становится чище, точность выравнивания сборки литиевых элементов — стабильнее, микровибрация при переносе полупроводниковых пластин — меньше. Та же механика, более быстрый ток — вот вся суть апгрейда.
Электросчёт за один ЦОД для ИИ за три года может оплатить ещё один ЦОД. Когда NVIDIA толкает мощность стойки к 1 МВт, вопрос «как расходуется каждый киловатт» становится новым полем битвы за вычисления.
В эпоху Blackwell центры обработки данных переходят с 54-вольтового постоянного тока на архитектуру 800 В HVDC. Напряжение растёт — при той же мощности ток падает: кабели тоньше, потери ниже, но каждый этап преобразования требует более высокого рабочего напряжения и КПД.
GaN 1200 В / 1800 В от LakeSemi создан именно для этой новой цепочки: от 800-вольтовой шины до распределения 48 В и далее до точки питания GPU, КПД преобразования приближается к 98%, объём магнитных элементов заметно уменьшается. Каждый киловатт-час идёт на вычисления, а не теряется в самом блоке питания — наш самый практичный вклад в эпоху ИИ.
Умная бытовая техника · Потребительская электроника · 22 июля 2026 г.
Промышленная автоматизация · Сервопривод · 10 августа 2026 г.
Центр обработки данных (ЦОД) · Питание серверов ИИ · 18 августа 2026 г.
Пожалуйста, заполните следующую информацию, и мы отправим материалы по электронной почте
Мы получили вашу заявку, сотрудник свяжется с вами в течение 1 рабочего дня
отправитматериалы и отправит материалы на указанный вами адрес электронной почты.
