仙湖硅基功率 MOSFET 覆盖 650V 超结（Super-Junction Gen-Ⅱ）与 200V / 150V 屏栅（SGT）两大工艺平台：650V 超结系列以 Multi-Epi 电荷平衡工艺实现 0.54 Ω 典型导通电阻与 11.8 nC 超低栅电荷，并提供 TO-220 / TO-263 / TO-220 FullPAK 三种封装灵活选型；200V / 150V SGT 系列以 10–16 mΩ 低导通电阻、60–71 A 连续电流与 215–498 mJ 高雪崩能量，直面功率因数校正、服务器电源、通信电源、逆变器与电机控制的严苛要求。全部产品 100% 雪崩测试、通过 JESD-22 可靠性验证（HTRB >1000 小时），每颗型号下方均可一键下载官方规格书（PDF）。
| 型号 | VDSS | RDS(on) max | ID 连续 (25°C) | IDM 脉冲 | Qg | 封装 | 定位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LSSF65R600S2 | 650 V | 0.6 Ω | 8 A | 32 A | 11.8 nC | TO-220 / TO-263 / TO-220F | 超结 · 高压开关 |
| LSF10R150S | 150 V | 12 mΩ | 71 A | 284 A | 21 nC | PDFN 5×6 | 低压 · 大电流 |
| LSD200N0016T | 200 V | 18 mΩ | 60 A | 200 A | 19 nC | DFN 5×6 | 200V · 高雪崩 |
650V Super-Junction MOSFET Gen-Ⅱ · 0.54 Ω · 11.8 nC
| 击穿电压 VDSS | 650 V（Tj=150°C 时 700 V） |
|---|---|
| RDS(on) @VGS=10V | 0.54 Ω typ / 0.6 Ω max |
| 连续漏极电流 ID | 8 A @TC=25°C · 5 A @TC=100°C |
| 脉冲漏极电流 IDM | 32 A |
| 总栅电荷 Qg | 11.8 nC（超低 · 开关损耗小） |
| 雪崩能量 EAS | 240 mJ · 100% 雪崩测试 |
| 动态鲁棒性 | 二极管恢复 dv/dt 15 V/ns · VDS 斜率 50 V/ns |
| 封装 | TO-220 / TO-263 (D²PAK) / TO-220 FullPAK 三封装可选 |
典型应用：开关电源 AC/DC · 功率因数校正 PFC · 高压开关 · LED 照明电源
下载规格书 (Rev1.0, EN, PDF) ↓150V SGT Silicon MOSFET · 10 mΩ · 71 A
| 击穿电压 VDSS | 150 V |
|---|---|
| RDS(on) @VGS=10V | 10 mΩ typ / 12 mΩ max |
| 连续漏极电流 ID | 71 A @TC=25°C · 50 A @TC=100°C |
| 脉冲漏极电流 IDM | 284 A |
| 总栅电荷 Qg | 21 nC · 跨导 gfs 40 S |
| 雪崩能量 EAS | 215 mJ（单脉冲） |
| 功耗 / 热阻 | PD 104 W · RθJC 1.1 °C/W |
| 封装 | PDFN 5×6 mm · 表贴 · 低热阻 |
典型应用：功率因数校正 PFC · 服务器电源 · 通信电源 · 逆变器 · 电机控制
下载规格书 (V1.0, EN, PDF) ↓200V SGT Silicon MOSFET · 16 mΩ · 60 A
| 击穿电压 VDSS | 200 V（typ 220 V） |
|---|---|
| RDS(on) @VGS=10V | 16 mΩ typ / 18 mΩ max |
| 连续漏极电流 ID | 60 A @TC=25°C · 40 A @TC=100°C |
| 脉冲漏极电流 IDM | 200 A |
| 总栅电荷 Qg | 19 nC (max) |
| 雪崩能量 EAS | 498 mJ · 高雪崩耐量 |
| 功耗 / 热阻 | PD 150 W · RθJC 1.0 °C/W |
| 封装 | DFN 5×6 mm · 表贴 · 低热阻 |
典型应用：功率因数校正 PFC · 服务器电源 · 通信电源 · 逆变器 · 电机控制
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