栅极驱动器

600V 高压半桥 GaN/IGBT/SiC 栅极驱动芯片 · 内置 UVLO · 兼容 3.3V/5V/15V 逻辑 · 50 V/ns 抗瞬态

仙湖栅极驱动器 LSC2101A / LSC2104A 是面向 GaN/IGBT/SiC 功率器件的 600V 高压、高速半桥栅极驱动芯片:浮动通道最高承受 +600V 偏置,抗 ±50 V/ns 负压瞬态;栅极驱动电压 10~20V,兼容 3.3V/5V/15V 逻辑输入;内置欠压锁定(UVLO)保护与两通道间传播延时匹配,专有的高压栅工艺与抗闩锁 CMOS 技术确保长期可靠性。LSC2101A 为独立的高压侧 / 低压侧半桥驱动器,提供同相(2101)/反相(2102)两个版本;LSC2104A 在半桥拓扑上集成贯通保护逻辑、内置死区时间与两通道关断(SD)功能,更适合电机驱动与 LLC 谐振。覆盖工业伺服驱动、光伏储能逆变器、UPS 不间断电源、感应加热与高压 DC/DC 变换器等场景,每颗型号下方均可一键下载官方规格书(PDF)。

选型速查

Quick Selector · All at a Glance
型号 拓扑 高压侧 栅驱动电压 传播延时 特性 封装
LSC2101A 高压侧/低压侧 独立半桥600 V10~20 V两通道匹配输出同相(2102 反相)DIP-8 / SOP-8
LSC2104A 半桥(含死区与 SD)600 V10~20 Vton 680 ns / toff 150 ns贯通保护 / 双通道关断DIP-8 / SOIC-8

600V 栅极驱动器系列产品

600 V Gate Driver Family ‹ 返回产品分类
DIP-8 / SOP-8 通用半桥

LSC2101A

600 V High-Side / Low-Side Gate Driver · 10~20 V Drive · 3.3/5/15 V Logic

拓扑 / 输出配置独立的高压侧 + 低压侧半桥栅极驱动
高压侧浮动电源最高 +600 V · VS = VB-25 ~ VB+0.3 V
栅极驱动电压10~20 V (VDD 范围)
输入逻辑电平兼容 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS / LSTTL 输出
输出相位2101 同相 / 2102 反相(两版本可选)
两通道延时匹配内置匹配,简化半桥时序设计
抗瞬态能力dV/dt = 50 V/ns 抗负压瞬态
保护功能内置 VCC / VBS 欠压锁定(UVLO)· 抗闩锁 CMOS
封装 / 功率DIP-8 (1.0 W) / SOP-8 (0.625 W) · 结温 -55 ~ 150 °C

典型应用:工业变频与伺服驱动 · 光伏储能逆变器 · UPS 不间断电源 · 感应加热 · 高压 DC/DC 变换器 · GaN / IGBT / SiC 半桥

下载规格书 (V1.03, CN, PDF) ↓
DIP-8 / SOIC-8 带死区 & SD

LSC2104A

600 V Half-Bridge Gate Driver with Shutdown · 10~20 V Drive · Built-in Dead-Time

拓扑 / 输出配置半桥栅极驱动(HO / LO 互锁)
高压侧浮动电源最高 +600 V · VS = VB-25 ~ VB+0.3 V
栅极驱动电压10~20 V (VDD 范围)
输入逻辑电平兼容 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS / LSTTL 输出
传播延时(典型)ton 680 ns / toff 150 ns · SD 信号 160 ns
贯通保护 / 死区内置贯通保护逻辑 + 死区时间,防止两通道同时导通
关断功能 (SD)两通道均支持 SD 紧急关断
抗瞬态能力dV/dt = 50 V/ns 抗负压瞬态
保护功能内置 VCC / VBS 欠压锁定(UVLO)· 抗闩锁 CMOS
封装 / 功率DIP-8 (1.0 W) / SOIC-8 (0.625 W) · 结温 -55 ~ 150 °C

典型应用:电机驱动(FOC / BLDC)· LLC 谐振变换器 · 半桥 / 全桥逆变器 · 工业电源 · GaN / IGBT / SiC 半桥

下载规格书 (V1.02, CN, PDF) ↓