Приборы GaN HEMT — LakeSemi | 650В QST GaN усиленные силовые транзисторы

Быстрый подбор

Quick Selector · All at a Glance

Модель	Рабочее напряжение	R_DS(on) max	I_DS Непрерывный	I_DS Импульс	Корпус	Позиционирование
LGaDC65R038N	650 V	38 mΩ	42 A	81 A	PDFN 8×8	Флагман с низким R / мощный PFC
LGaDC65R045N	650 V	45 mΩ	42 A	81 A	PDFN 8×8	Лучший выбор для высокой частоты / промышленные PSU
LGaDE65R045N	650 V	45 mΩ	—	70 A	TOLL 10×12	Высокая мощность / тяга ЭВ
LGaDC65R150N	650 V	150 mΩ	18 A	36 A	PDFN 8×8	Хит / 240 Вт обратный ход
LGaDB65R150N	650 V	150 mΩ	18 A	36 A	PDFN 5×6	Малый размер / потребительская быстрая зарядка
LGaDB65R300N	650 V	300 mΩ	—	—	PDFN 5×6	Низкая мощность / до 100 Вт

PDFN 8×8 Флагман с низким R

650V GaN-on-QST™ Power Transistor · 38 mΩ · PDFN 8×8

Напряжение сток-исток V_DS	650 V (transient 850 V)
Сопротивление открытого канала R_DS(on) @V_GS=6V	38 mΩ (typ.)
Непрерывный ток стока I_DS @T_C=25°C	42 A
Импульсный ток I_DS(pulse)	81 A (10 µs)
Затворное напряжение V_GS	−10 V ~ +7 V
ЭСР (HBM) (HBM)	10 kV
Корпус	PDFN 8,0 × 8,0 мм · 8 выводов · нижняя теплоотводящая подложка

Типовое применение:Бестрансформаторныйтотемный PFC · LLC-резонанс · мощные серверные PSU · автомобильный OBC

PDFN 8×8 Лучший выбор для высокой частоты

650V GaN-on-QST™ Power Transistor · 45 mΩ · PDFN 8×8

Напряжение сток-исток V_DS	650 V (transient 850 V)
Сопротивление открытого канала R_DS(on) @V_GS=6V	45 mΩ (typ.)
Непрерывный ток стока I_DS @T_C=25°C	42 A
Импульсный ток I_DS(pulse)	81 A (10 µs)
Затворное напряжение V_GS	−10 V ~ +7 V
ЭСР (HBM) (HBM)	10 kV
Корпус	PDFN 8,0 × 8,0 мм · 8 выводов · нижняя теплоотводящая подложка

Типовое применение:Бестрансформаторныйтотемный PFC · LLC-резонанс · промышленные PSU · фотоинверторы · ИБП

TOLL 10×12 Высокая мощность

650V GaN-on-QST™ Power Transistor · 45 mΩ · TOLL 10×12

Напряжение сток-исток V_DS	650 V (transient 850 V)
Сопротивление открытого канала R_DS(on) @V_GS=6V	45 mΩ (typ.)
Непрерывный ток стока I_DS @T_C=25°C	—
Импульсный ток I_DS(pulse)	70 A
Затворное напряжение V_GS	−10 V ~ +7 V
ЭСР (HBM) (HBM)	10 kV
Корпус	TOLL 10,0 × 12,0 мм · 9 выводов · TO-Leadless

Типовое применение:Тяговый инвертор ЭВ · автомобильный OBC · мощныйтотемный PFC · накопление на фотоэлектрике

PDFN 8×8 Хит продаж

650V GaN-on-QST™ Power Transistor · 150 mΩ · PDFN 8×8

Напряжение сток-исток V_DS	650 V (transient 850 V)
Сопротивление открытого канала R_DS(on) @V_GS=6V	150 mΩ (max.)
Непрерывный ток стока I_DS @T_C=25°C	18 A
Импульсный ток I_DS(pulse)	36 A (10 µs)
Затворное напряжение V_GS	−10 V ~ +7 V
ЭСР (HBM) (HBM)	10 kV
Корпус	PDFN 8,0 × 8,0 мм · 8 выводов · нижняя теплоотводящая подложка

Типовое применение:Источник обратного хода 100–240 Вт · AC-DC адаптеры · LED-драйверы · быстрая зарядка USB-PD

PDFN 5×6 Малый размер

650V GaN-on-QST™ Power Transistor · 150 mΩ · PDFN 5×6

Напряжение сток-исток V_DS	650 V (transient 850 V)
Сопротивление открытого канала R_DS(on) @V_GS=6V	150 mΩ (max.)
Непрерывный ток стока I_DS @T_C=25°C	18 A
Импульсный ток I_DS(pulse)	36 A (10 µs)
Затворное напряжение V_GS	−10 V ~ +7 V
ЭСР (HBM) (HBM)	10 kV
Корпус	PDFN 5,0 × 6,0 мм · 5 выводов · нижняя теплоотводящая подложка

Типовое применение:Источник обратного хода 65–100 Вт · адаптеры быстрой зарядки USB-PD · малые SMPS · адаптеры ноутбуков

PDFN 5×6 Низкая мощность

650V GaN-on-QST™ Power Transistor · 300 mΩ · PDFN 5×6

Напряжение сток-исток V_DS	650 V (V_BLDSS)
Сопротивление открытого канала R_DS(on) @V_GS=6V	300 mΩ (max.)
Непрерывный ток стока I_DS @T_C=25°C	—
Импульсный ток I_DS(pulse)	—
Затворное напряжение V_GS	−10 V ~ +7 V
ЭСР (HBM) (HBM)	—
Корпус	PDFN 5,0 × 6,0 мм · 5 выводов · нижняя теплоотводящая подложка

Типовое применение:Источник обратного хода ≤100 Вт · вспомогательное питание (aux supply) · маломощные бытовые SMPS