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GaN HEMT 器件

650V GaN HEMT · QST™ Enhancement-Mode Power Transistors

仙湖 GaN HEMT 器件全部基于自研 QST™（Qromis Substrate Technology）工艺平台，统一 650V 耐压，覆盖 38 mΩ 至 300 mΩ 全电阻档位；提供 PDFN 5×6（B 封装）、PDFN 8×8（C 封装）、TOLL 10×12（E 封装）三种行业标准封装形态，开关频率天花板 1 MHz+，是无桥图腾柱 PFC、LLC 谐振、QR 反激与车载 OBC 的理想选择。每颗型号下方均可直接下载官方 V1.0 / V1.1 英文规格书（PDF）。

选型速查

Quick Selector · All at a Glance
型号 耐压 RDS(on) max IDS 连续 IDS 脉冲 封装 定位
LGaDC65R038N 650 V38 mΩ42 A81 APDFN 8×8旗舰低阻 / 大功率 PFC
LGaDC65R045N 650 V45 mΩ42 A81 APDFN 8×8高频首选 / 工业 PSU
LGaDE65R045N 650 V45 mΩ—70 ATOLL 10×12大功率 / EV 牵引
LGaDC65R150N 650 V150 mΩ18 A36 APDFN 8×8畅销 / 240W 反激
LGaDB65R150N 650 V150 mΩ18 A36 APDFN 5×6小尺寸 / 消费快充
LGaDB65R300N 650 V300 mΩ——PDFN 5×6低功率 / 100W 以内

650V GaN HEMT 系列产品

650V GaN HEMT Family ‹ 返回产品分类
PDFN 8×8 旗舰低阻

LGaDC65R038N

650V GaN-on-QST™ Power Transistor · 38 mΩ · PDFN 8×8

漏源耐压 VDS650 V (transient 850 V)
导通电阻 RDS(on) @VGS=6V38 mΩ (typ.)
连续漏极电流 IDS @TC=25°C42 A
脉冲电流 IDS(pulse)81 A (10 µs)
栅极驱动 VGS−10 V ~ +7 V
ESD (HBM)10 kV
封装PDFN 8.0 × 8.0 mm · 8 引脚 · 底部散热垫

典型应用：无桥图腾柱 PFC · LLC 谐振 · 大功率服务器 PSU · 车载 OBC

下载规格书 (V1.1, EN, PDF) ↓
PDFN 8×8 高频首选

LGaDC65R045N

650V GaN-on-QST™ Power Transistor · 45 mΩ · PDFN 8×8

漏源耐压 VDS650 V (transient 850 V)
导通电阻 RDS(on) @VGS=6V45 mΩ (typ.)
连续漏极电流 IDS @TC=25°C42 A
脉冲电流 IDS(pulse)81 A (10 µs)
栅极驱动 VGS−10 V ~ +7 V
ESD (HBM)10 kV
封装PDFN 8.0 × 8.0 mm · 8 引脚 · 底部散热垫

典型应用：无桥图腾柱 PFC · LLC 谐振 · 工业 PSU · 光伏逆变 · UPS

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TOLL 10×12 大功率

LGaDE65R045N

650V GaN-on-QST™ Power Transistor · 45 mΩ · TOLL 10×12

漏源耐压 VDS650 V (transient 850 V)
导通电阻 RDS(on) @VGS=6V45 mΩ (typ.)
连续漏极电流 IDS @TC=25°C—
脉冲电流 IDS(pulse)70 A
栅极驱动 VGS−10 V ~ +7 V
ESD (HBM)10 kV
封装TOLL 10.0 × 12.0 mm · 9 引脚 · TO-Leadless

典型应用：EV 牵引逆变 · 车载 OBC · 大功率图腾柱 PFC · 光伏储能

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PDFN 8×8 畅销

LGaDC65R150N

650V GaN-on-QST™ Power Transistor · 150 mΩ · PDFN 8×8

漏源耐压 VDS650 V (transient 850 V)
导通电阻 RDS(on) @VGS=6V150 mΩ (max.)
连续漏极电流 IDS @TC=25°C18 A
脉冲电流 IDS(pulse)36 A (10 µs)
栅极驱动 VGS−10 V ~ +7 V
ESD (HBM)10 kV
封装PDFN 8.0 × 8.0 mm · 8 引脚 · 底部散热垫

典型应用：100–240W 反激电源 · AC-DC 适配器 · LED 驱动 · USB-PD 快充

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PDFN 5×6 小尺寸

LGaDB65R150N

650V GaN-on-QST™ Power Transistor · 150 mΩ · PDFN 5×6

漏源耐压 VDS650 V (transient 850 V)
导通电阻 RDS(on) @VGS=6V150 mΩ (max.)
连续漏极电流 IDS @TC=25°C18 A
脉冲电流 IDS(pulse)36 A (10 µs)
栅极驱动 VGS−10 V ~ +7 V
ESD (HBM)10 kV
封装PDFN 5.0 × 6.0 mm · 5 引脚 · 底部散热垫

典型应用：65–100W 反激电源 · USB-PD 快充适配器 · 小型 SMPS · 笔记本适配器

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PDFN 5×6 低功率

LGaDB65R300N

650V GaN-on-QST™ Power Transistor · 300 mΩ · PDFN 5×6

漏源耐压 VDS650 V (VBLDSS)
导通电阻 RDS(on) @VGS=6V300 mΩ (max.)
连续漏极电流 IDS @TC=25°C—
脉冲电流 IDS(pulse)—
栅极驱动 VGS−10 V ~ +7 V
ESD (HBM)—
封装PDFN 5.0 × 6.0 mm · 5 引脚 · 底部散热垫

典型应用：≤100W 反激电源 · 辅助电源 (aux supply) · 家电小功率 SMPS

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