
200W QR 反激单芯片合封氮化镓,效率 94%+。集成 650V GaN HEMT + 控制器 + 驱动器,省去散热片与光耦,BOM 更小、EMI 更低。

CrM/DCM 模式 PFC 控制器,搭配 2EDB7259Y 半桥驱动 65R150 GaN,PFC 段效率 99%+,让 AC/DC 整机轻松跨过 80 Plus Titanium 门槛。

650V / 65mΩ GaN HEMT(QST 平台)。陶瓷衬底热导率 170–230 W/mK,dV/dt 100V/ns,适合 1MHz+ 高频硬开关与伺服驱动。
清晨六点半,咖啡机嗡地一声启动;晚归推开门,玄关的灯轻轻亮起。这些日常瞬间的背后,都藏着一颗小小的电源芯片——而仙湖正让它变得不一样。
传统硅器件开关频率只有 65kHz,变压器必须做得又大又重,还会发出人耳可闻的啸叫。换成仙湖合封 GaN 芯片后,开关频率翻倍、磁性元件缩小四成,整机待机功耗降一半——空调外机在夜里几乎听不见了。
从 65W 笔记本快充到 140W PD3.1 多口充电器,一颗合封芯片就能扛住全部功率,效率 94% 以上。充电头更小、更凉、更耐用,这就是 GaN 走进千家万户的方式。
不需要用户改变任何习惯,好芯片的工作就是——让舒适悄悄发生。
在锂电叠片产线上,机械臂每 0.1 秒完成一个动作。决定这个节拍能不能再快的,不是机械,而是伺服驱动器里那颗功率器件的开关频率。
传统 IGBT 只能开关 8–16kHz,电流环带宽被死死压住。遇到高动态指令,电机要么跟不上、要么过冲震荡——高精度场合只能减速妥协,产线节拍就慢了下来。
仙湖 GaN HEMT 开关频率冲上 100kHz+,电流环带宽提升 10 倍:CNC 机床的加工面更光洁,锂电叠片的对齐精度更稳,半导体晶圆搬运的微振动更小。同样的机械,更快的电——这就是升级的全部秘密。
一座 AI 数据中心的电费,三年就能再买一座数据中心。当 NVIDIA 把机柜功率推向 1MW,每一度电怎么用,成了算力竞争的新战场。
Blackwell 时代,数据中心正从 54V 直流跃迁到 800V HVDC 架构。电压升上去,同样的功率电流就小下来——线缆更细、损耗更低,但每一级变换都要求更高的耐压与效率。
仙湖 1200V / 1800V GaN 正是为这条新链路准备的:从 800V 母线到 48V 配电,再到 GPU 供电点,转换效率逼近 98%,磁性元件体积大幅缩小。每一度电都用在计算上,而不是被电源自身消掉——这是我们对 AI 时代最实在的贡献。
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